摩尔定律是什么？英特尔创始人之一戈登·摩尔根据经验得出一条“定律”，即集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过24个月便会增加一倍。换言之，处理器的性能每隔两年翻一倍。从这条“定律”我们能够一窥科技进步的速率，每一次工艺的升级都能为消费者带来更好的体验。
眼下我们能够使用的电子设备，芯片制程从28nm、14nm到7nm、5nm各有不同。“雕刻”的精度不断提高，更小的制程意味着可以在同样大小的面积内容纳下更多的晶体管，元器件的密度也会相应提高。例如我们常说的EUV“极紫外光刻”技术，使用它生产的5nm芯片——例如华为麒麟9000、苹果M1以及三星Exynos1080，他们是目前消费级芯片领域的第一梯队。但由于承载材料、生产工艺的限制，摩尔定律存在着物理上的“极限”，近年来摩尔定律的达成间隔一度延长也被视为达到极限的前兆。
要进行光刻，就需要有设备，荷兰ASML是全球唯一的EUV光刻设备生产商。近日，ITF论坛在日本东京举办。论坛上，与ASML合作研发光刻机的比利时半导体研究机构IMEC公布了3nm及以下制程的在微缩层面技术细节。根据论坛上透露的信息，ASML对于3nm、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub1nm工艺都做了清晰的路线规划，这意味着未来1nm工艺的实际应用只是时间问题。
据台积电和三星电子介绍，“当前7nm、5nm部分工艺已经推出了NA(Numerical Aperture)=0.33的EUV光刻设备，并通过降低波长来实现5nm工艺，但对于2nm以后的超精细工艺，需要实现更高的分辨率和更高的光刻设备”。ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计，预计在2022年实现商业化，2024年到2025年大规模生产。摩尔定律终于续上了，1nm制程的芯片究竟会将功耗缩减到什么程度、又能带来多达幅度的性能提升呢？让我们拭目以待。
