韩媒披露，三星电子将采用台积电的3奈米制程，辉达下一代客制化HBM芯片制造基础晶粒。图：周煊惠／摄（资料照）
韩国三星电子（Samsung Electronics）在晶圆代工领域上试图追赶台积电，不过传出将首次在高带宽内存（HBM）制造阶段与台积电合作。韩国媒体披露，三星电子将采用台积电的3奈米制程，为人工智能（AI）芯片大厂辉达（Nvidia）下一代客制化HBM芯片制造基础晶粒（base die）。
根据“首尔经济日报”（Seoul Economic Daily），消息人士透露，辉达已要求三星、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron Technology）在NVHBM基础晶粒采用台积电制程，并在核心晶粒采用第6代DRAM技术、也就是1c制程；NVHBM则是以第7代技术为基础。
报导指出，辉达提出这项要求是因为不同HBM供应商制造基础晶粒的方式各异，导致虽然产品是同一套设计却难以确保成品具有一致的性能。根据辉达说明，8月发表的NVHBM将辉达客制化内存控制器整合进基础晶粒，旨在统一多家内存供应商的实作方式；统一制程标准也能减少辉达针对不同供应商分别进行产品验证的负担。
报导提到，三星经过内部审查后同意辉达的要求，但并未排除在NVHBM的开发、生产过程中，使用自家晶圆厂的可能性，仍计划以自有制造模式生产标准HBM，以及为其他客户量身打造的产品。一位不具名消息人士指称，三星也正在评估，若需求超出台积电产能，是否可由自家晶圆代工部门生产NVHBM基础晶粒。
