英特尔执行长季辛格（Pat Gelsinger）认为，国际对中国半导体业的制裁限制了其7奈米以上制程的发展，迫使其在该领域的技术落后全球约十年。图：取自“X”@RamblingAK
英特尔（Intel）执行长季辛格（Pat Gelsinger）认为，美国、日本、荷兰对中国半导体业的制裁限制了其7奈米以上制程技术的发展。他直指，尽管中国将继续发展其半导体实力，并或将于国内设计更先进的芯片制造工具，但它在该领域仍落后全球约十年，而且这种情况将维持下去。
资讯科技媒体“Tom's Hardware”报导，季辛格于瑞士城镇达佛斯（Davos）举行的世界经济论坛（WEF）作出上述发言。他表示，近期包括荷兰、美国及日本实施的出口政策，某种程度上为中国半导体业在10到7奈米范围内设定了底线。然而“我们正在竞相向2奈米以下，甚至是1.5奈米迈进，你知道我们看不到尽头。”
据报导，目前中国代工厂中芯国际（SMIC）拥有7奈米制程技术，可用于制造智能手机应用处理器，较台积电和三星落后约5年半。同时，上海华力微电子公司（HLMC）传已于2020年开始试产14奈米“鳍式场效电晶体”（FinFET）制程的芯片，这意味着它仍落后台积电9到10年。
但是，中芯国际和华力微电子都使用荷兰、日本、韩国、台湾和美国生产的工具，以及日本的纯原料。如果无法获得这些资源，中国将不得不开发自己的晶圆厂设备和纯化气体（purify gases）、抗蚀剂和其他化学品的方法，以实现尖端芯片的生产。
现代半导体制程技术需要全球整个产业的共同努力、大量的基础研究以及数千亿美元的研发投入，中国是否能够独自应对这一切还有待商榷。同时，如果中国完全与先进的芯片制造工具和技术隔绝，其半导体公司可能会尝试逆向工程（Reverse Engineering，技术、产品仿造）复制他们可以掌握的设备，以缩小与全球芯片业的差距。这并不完全是一种可持续的方法，但他们可能别无选择。
