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拆解华为手机:中国半导体仅落后…

美国政府对中国华为启动事实上的出口禁令已有5年。美国政府一直在采取遏制中国芯片技术的措施。不过,实际效果很少被讨论。每年拆解100种产品电子产品的日本半导体调查企业TechanaLye(东京中央区)的社长清水洋治表示,中国芯片的实力已经达到比台积电(TSMC)落后3年的水平。

“比较一下这两张照片”,清水展示的是成为2024年4月上市的华为最新款智能手机“华为 Pura70 Pro”大脑的应用处理器(AP)和截至2021年的高性能智能手机应用处理器的两张半导体电路图。

最新的应用处理器“KIRIN9010”由华为旗下的海思半导体设计,由中国半导体代工企业中芯国际(SMIC)负责量产。而2021年的应用处理器“KIRIN9000”由海思半导体设计,台积电负责量产。

美国政府的警惕对象中芯国际采用的是线路线宽为7纳米(纳米是10亿分之1米)的技术,而台积电当时采用5纳米的量产制程,向华为供应处理器。

一般来说,如果线路线宽变窄,半导体的处理性能就会提高,半导体面积则会变小。据称中芯国际以7纳米量产的芯片面积为118.4平方毫米,台积电的5纳米芯片则为107.8平方毫米,面积没有太大差异,处理性能也基本相同。

虽然在良品率上存在差距,但从出货的半导体芯片的性能来看,中芯国际的实力已追赶到比台积电落后3年。虽然线路线宽为7纳米,但可以发挥与台积电的5纳米相同的性能,因此可以分析出海思半导体的设计能力也进一步提高。

Pura70 Pro除了存储芯片和传感器之外,还搭载了支撑摄像头、电源、显示屏功能的共37个半导体。其中,海思半导体承担14个,其他中国企业承担18个,从中国以外的芯片来看,只有韩国SK海力士的DRAM、德国博世的运动传感器等5个。实际上,86%的半导体产自中国。

对于中国在本国生产如此广泛的半导体,清水洋治表示“事实上,美国的管制对象只是用于人工智能(AI)等的服务器用尖端半导体。只要不构成军事上的威胁,美国可能就会允许”。

半导体行业团体SEMI的数据显示,从2023年制造设备的各地区销售份额来看,中国占到34.4%,购买了韩国和台湾的约2倍的设备。虽然最尖端半导体制造设备的出口管制备受关注,但实际情况是,中国正在不断采购管制对象以外的设备,稳步磨练量产技术。

其中,中芯国际以7纳米制程发挥了与台积电5纳米相同的性能,这一事实影响巨大。随着把线路线宽缩小到极限的“微细化”的难度加大,在尖端领域的开发竞争中,台积电要想甩开中国大陆企业变得更加困难。

清水洋治详细分析了华为最新款智能手机,得出结论是:“到目前为止,美国政府的管制只是略微减慢了中国的技术创新,但推动了中国半导体产业的自主生产”。

责任编辑: 方寻  来源:日经中文网 转载请注明作者、出处並保持完整。

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