近日，中国工信部发布了“首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）”，其中包括一款全新国产DUV（深紫外）曝光机，分辨率为≤65nm，套刻精度为≤8nm。此消息让一些中国民众兴奋不已，误以为中国已经突破美国封锁，能生产8奈米芯片。然而，这一乐观解读很快遭到打脸。
中国媒体迅速澄清，这款深紫外曝光机实际上只能用于生产65奈米或更大制程的芯片。部分民众将“套刻精度≤8nm”误解为芯片制造的制程节点，认为这意味着8奈米曝光机，但这是一种误解。实际上，套刻精度与光刻制程的节点并不相同。
根据中媒芯智讯的报道，工信部公布的资料显示，此次列出的深紫外曝光机有两种类型：氟化氪（KrF）曝光机和氟化氩（ArF）曝光机。前者使用248nm光源，分辨率为≤110nm，套刻精度为≤25nm，而后者则是193nm光源的干式DUV曝光机。尽管相比此前的国产曝光机有所提升，但这款DUV曝光机仍未达到能够生产28奈米芯片的水平，距离8奈米、7奈米芯片的生产更是遥远。
有技术专家指出，65nm的分辨率意味着这款深紫外曝光机的单次曝光制程节点大致停留在“65奈米”左右。将套刻精度8nm等同于光刻制程8奈米芯片的解读完全错误。中国一位自媒体人对此也发表评论，称认为这款曝光机能生产8奈米芯片的说法是“天方夜谭”。他说，中国的DUV曝光技术目前仍落后于荷兰半导体巨头ASML约18年，要实现技术突破并进军浸没式深紫外曝光机领域，还面临诸多挑战，切不可过于乐观。
此外，科技媒体《WccfTech》分析，中共这款国产深紫外曝光机至少落后美国15年。ASML的客户早在2009年便已能够使用其氟化氩曝光机生产先进芯片，显示出中共在这一领域仍有较长的追赶之路。
中国工信部公布，全新中国产DUV曝光机。（图取自中国社交平台）
