阿波罗网王笃若报导/美国科技政策与出口管制专家麦奎尔（Chris McGuire）指出，外界盛传中共正全力复制 ASML的 EUV（极紫外光）曝光机，但即便中共在实验室层级取得部分进展，与可长时间稳定运作、足以量产的商业化 EUV设备之间，仍存在数个世代的技术与良率鸿沟。换言之，“做得出来”不等于“能量产、能便宜、能可靠”。
麦奎尔曾任拜登政府白宫国安会中国科技政策官员，现为外交关系协会资深研究员。他指出，外界把中共的 EUV研发形容为“曼哈顿计划”式突破，但这显然高估短期影响力。EUV并非单一设备，而是高能光源、多层反射镜、真空、极限同步控制等系统工程的集大成，中共即便能攻下局部零件，也离产业化水平仍差数代。
他强调，出口管制的作用常被误解，其目的不是“彻底封死”中共，而是延长研发时程、提高成本、降低制程稳定性。对投资界而言，更真实的风险是：中共的半导体投入会继续烧钱，却难形成可持续的产业回报。
在制程路线方面，中共确实尝试以DUV多重曝光、制程堆叠、chiplet模组化等方式逼近先进制程，但代价是功耗暴涨、成本失控、良率偏低，因此相关产品只能在政策驱动或封闭内需市场消化，难以形成全球竞争力。
对 AI与大型资料中心而言，先进制程的价值来自“能效比”，不是单纯算力。制程落后一到两代，就意味着运营成本结构全面劣势。
麦奎尔总结，中共的追赶是一场至少十年以上的耐力赛，而非短期突袭；ASML、台积电掌握的 EUV与先进制程整合能力，短期内仍无法被撼动。真正需要警惕的是：中共高额补贴可能持续扭曲成熟制程与特定应用市场。
