中国内存芯片制造商长鑫存储遭揭露窃取三星电子的 DRAM核心制程资料，并非由零开始的自主研发。图:翻摄自 X@XinhuaItalia
根据韩国媒体《每日经济》（Maeil Business Newspaper）近日报导，韩国首尔中央地方法院近日审理一起涉及半导体核心技术外泄的重大案件。一名曾在三星电子服务长达28年、后来参与中国内存芯片制造商长鑫存储（CXMT）创立的全姓工程师，日前在法庭公开作证，披露长鑫存储在成立初期即大规模引进三星专利技术并窃取其制程资料。
据 X平台@whyyoutouzhele引述《每日经济》报导，全姓工程师在庭讯中证实，长鑫存储于2016年成立初期，包含执行长（CEO）与首席技术官（CTO）在内的高层管理团队，即已规划取得三星电子的 DRAM核心制程资料，而非完全由零开始进行自主研发。全姓工程师表示，当时长鑫存储“既没有研究所，也没有设备”，因此采取高薪挖角韩国半导体人才的方式推动营运。
长鑫存储将窃取的技术转化为自家设备参数，省去巨额研发成本并成功量产 DRAM，再将抄袭成果包装成突破西方封锁的“民族骄傲”。图:翻摄自百度
报导进一步指出，随后三星18奈米级 DRAM的“制程配方计划”（PRP）遭泄露给长鑫存储，内容涵盖约600道关键制造工序、设备参数及具体制程条件。据悉，三星电子为开发该项技术，曾历时约5年，并投入高达1.6兆韩元（约新台币367.8亿元）的研发经费。
韩国检方指控，长鑫存储取得相关关键资料后，将三星的制程资讯转换为适用于中国当地工厂设备的生产参数，以省去大量研发与试错时间，并成功实现 DRAM的商业化量产，更借此将其包装成突破西方封锁的“民族骄傲”。目前，长鑫存储已成长为全球第四大 DRAM制造商。韩国法院正就相关证词与事证展开审理，此案预计将对国际半导体知识产权争议产生深远影响。
