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北京惹毛这国!30年重刑侍候中共

—对付北京这行为,“这国”祭出最高30年监禁

韩决定设置“第二半导体园区”

阿波罗网王笃若报导/对付北京这行为,"这国"祭出最高30年监禁

韩国这次真的急了——半导体这块自留地,说什么也不能再让中共随便挖走抄袭了。

从周日(13日)起,韩国正式实施新修法案,为外国窃取"国家机密"者最高可判处30年监禁。这是韩国间谍法70多年来首次扩大适用范围,直接堵上一个长期存在的法律漏洞——过去只有替朝鲜等"敌对"国家干活才算间谍罪,如今范围扩大到经济、科学、技术等所有可能威胁国家安全的非公开信息。

芯片行业占出口四成,谁动它谁挨打

韩国法务部长官郑成湖表示,这项法案为防止先进技术泄露提供了"法律安全网"。半导体产业占韩国出口总额40%以上,是AI浪潮下拉动经济增长的核心引擎,上个月司法部、科学部、警察部门等多部门联合召开会议,工业部高级官员直言:"我们将调动国家全部力量,从政策制定到调查、起诉和判刑,严厉打击技术泄露行为。"

去年33起技术外泄案,一半涉及中国

韩国国家警察厅去年查获创纪录的33起技术泄漏海外案件,超过一半涉及红色中国,半导体产业更是被攻击最多的领域。更麻烦的是,86%的技术外泄案件涉及中小企业,这些规模较小的零件供应商掌握敏感信息,却没有大厂那样雄厚的资源去防守。去年,警方就在金浦机场逮捕一名SK海力士供应商前员工,他正准备飞往中国,被控试图带走高频宽记忆体芯片封装技术。

成均馆大学半导体专家权锡俊直言,间谍活动最猖獗的手法就是招募退休高管和资深工程师,开出两到三倍薪水,这些招募往往透过新加坡、台湾或香港的空壳公司或咨询机构进行。

长鑫存储案:600道制程,5年心血,全被"手抄"带走

而这项新法背后最刺眼的案例,正是长鑫存储窃取三星DRAM技术案。曾任职三星电子、后跳槽协助创办长鑫存储的全姓工程师,日前在首尔中央地方法院出庭作证坦承,长鑫存储高层2016年创立起便无意自研,而是直接窃取三星核心制程资料——涉案技术为三星18奈米级DRAM制程,涵盖生产过程600道制程步骤及关键设备条件,宛如半导体的"制造配方"。

据韩国检方调查,涉案研究人员离职前将核心资料手抄在12页笔记中带走,长鑫取得后依自身生产环境修改验证,2019年成功量产DRAM。涉案三星前员工今年4月一审已被判7年徒刑。

韩媒《Edaily》引述首尔大学教授孙承宇分析,三星为此技术投入约1.6兆韩元、研发耗时约5年,但真正的损失无法只用研发经费计算——"真正被带走的,是无法用金钱衡量的试错时间。"他质疑,面对如此庞大的技术外泄损害,7年徒刑是否足以形成吓阻效果,主张未来量刑应纳入技术经济价值、竞争对手节省的研发成本、受害企业市占率损失等因素综合考量,并警告一旦技术真正进入海外生产线,即使日后重判也难挽回损失。

中共抄得有多凶?数字说话

中国DRAM生产商长鑫存储今年上半年营收年增近9倍,达224亿美元;据TrendForce数据,长鑫存储全球DRAM市占从今年第一季7.6%攀升至第二季9.5%,虽仍远低于三星的39.4%和SK海力士的24.9%,但增速惊人。

从法律漏洞到30年重刑,从"手抄12页笔记"到高薪挖角,韩国这次是铁了心要把半导体这道护城河筑牢——毕竟当对手能靠一份被偷走的"制造配方"就少走5年弯路,再不出重拳,恐怕真要被追上了。

责任编辑: 方寻  来源:阿波罗网王笃若报导 转载请注明作者、出处並保持完整。

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