芯片示意图。
中国半导体龙头中芯国际不久前宣布其先进制程“有重大突破”，引起业界关注。然而，日前有知名半导体研究顾问向媒体透露，有中芯国际的工程师自曝，中国目前并未能制造出功能良好的DUV曝光机，用其自产的DUV制造7奈米芯片成本高且良率非常低，很容易被投诉。
据台湾自由财经网报导，阿拉伯媒体“半岛电视台”近日报导了中国被美国围剿下大炼“芯”的现状。
知名半导体研究顾问SemiAnalysis分析师分析师 Dylan Patel在接受半岛电视台采访时表示，如果日前传出的中芯国际在7奈米制程获得进展属实，那么可以说这的确是一个突破。但中芯依靠用DUV来制作7奈米芯片缺少一些功能，要想扩大生产规模，还需要逐步改进设计。
Patel还透露，有中芯国际工程师自爆，中国自行开发的 DUV曝光机问题一堆，目前根本没有制造出功能良好的DUV曝光机。
他表示，中芯国际工程师自己泄露了这些自产的机器容易被投诉，指中国并未制造出功能良好的 ArF曝光机。他还强调，中国使用外国设备制造芯片的技术落后很多年，其国产设备更是落后外国几十年。
此外，工研院产业科技国际策略发展所研究总监杨瑞临（Ray Yang）也指出，中芯国际使用 DUV制造7奈米芯片的良率非常低，也不具成本优势。他表示，由于华为遭美国制裁而无法找外国代工厂，中国严重依赖中芯生产其急需的芯片，但可能主要是用于“非商业性的特殊用途”。
据公开的资讯，当今的半导体行业中，先进制程5奈米、3奈米的芯片必须使用最先进的EUV，才能进行大规模先进制程芯片的生产；而7奈米以上的14奈米、28奈米等可以用DUV制造的芯片则被大量用于通信、汽车、电器、工业生产等众多领域。过去美国政府主要是限制中国企业获得EUV，中国的企业就转而大量购买囤积DUV，并致力于使用DUV来制造7奈米及以下的高档芯片。
资料显示，仅2021年，中国的企业就向全球最大的光刻机生产企业、荷兰的阿斯麦(ASML)公司购买了81台DUV光刻机，而2022年一季度，ASML销售的62台光刻机中，DUV占了59台，其中22台是卖给了中国。
然而，今年7月上旬，有知情人士向媒体透露，美国正在施压荷兰，要求 ASML停止向中国出售DUV。这意味着美国政府正把对中国光刻机的禁售范围从先进制程的极紫外线光刻机（EUV）扩大到普遍使用的DUV。
在这样的背景下，中国大陆有媒体近日宣称，上海微电子集团已经与许多公司达成了合作，已成功研制出了28奈米光刻机，并声称“这标志着我国的光刻机研究也已经进入了先进工艺的阶段”云云。甚至有消息称，在不久之后，上海微电子集团会在14纳米光刻机的研发上完成突破。
自由财经认为，Patel日前透露的情况“等于打脸之前传出中国上海微电子即将量产28奈米 DUV的讯息”。
由于掌控半导体技术不仅将塑造世界经济的未来，同时也是军事技术技术突破的关键，半导体行业的攻防战已成为美中两国之间最激烈的战场之一
美国政府近期出台了多项措施来阻止高端芯片技术输入中国。除“芯片法案”鼓励企业在美设厂外，并限制获得美国政府补助的企业在10年内不得于中国建造新厂或是扩充低于28奈米的先进制程。
上个月，美国商务部又宣布，禁止对中国出口用于3奈米以下制程的EDA软体；上一周则限制GPU双雄超微（AMD）、辉达（NVIDIA）向中国出售高阶人工智能（AI）芯片。
今年8月中旬，中国媒体宣称中芯国际成功制造出了7纳米芯片，当时《金融时报》曾发文，引述中国大陆半导体产业专家富勒（Douglas Fulle）表示：“中芯的进展所引发的轰动被夸大，他们正使用额外的曝光来弥补欠缺EUV机台的情况”，“但据了解，良率很糟糕”。
“金融时报”驻台北记者席佳琳（Kathrin Hille）在文中指出，中芯现在面临的问题是，美国正封杀极紫外光（EUV）设备出货至中国大陆，中芯只能仰赖成熟制程必备的深紫外光（DUV）机台，透过三次甚至四次转印电路图来完成7奈米芯片的制造，这使得中芯面临一个战略两难的局面：要再投入多少时间和资金，才能以采用效率较低的方式来量产7奈米芯片。
席佳琳坦言，中芯用DUV机台生产7奈米芯片需要额外的成本和时间，“这是否是一场中芯想要的战役，仍是个问题”。