外国传媒报道，南韩公布计划，拟在未来十年斥资大约4,500亿美元(约3.5万亿港元)，将自身打造成世界头号芯片制造基地，由此与中国和美国一道加入了争夺全球关键技术领域主导地位的战团。根据文在寅政府设计的一项国家蓝图，在到2030年的这段时间里，三星电子和S...

在5nm工艺代工上，三星是唯一能跟台积电掰手腕的，然而实际表现不尽如人意，高通使用三星5nm的骁龙888被人质疑翻车。最新消息称，高通不仅6nm订单给了台积电，明年的5nm芯片转向台积电了。来自供应链消息人士@手机芯片达人的消息称，由于三星代工部门LSI坑...

日本经济新闻6日三星与台积电的差距在扩大为题，分析两大尖端半导体制造商，并指出三星与台积电的技术差距也将扩展至手机性能上与苹果的差距。据报导，三星在智能手机的芯片产量方面陷入苦战，代工生产的销量降低。而这样的劣势有可能导致三星的半导体记忆体及智能手机等，主...

众所周知，在芯片制程方面，一直在向越来越小尺寸挺近，7nm、5nm是当下的主流，台积电和三星电子都在研制3nm制程技术，并且计划开始量产。近日我们看到，IBM宣布已经制造出全球首个2nm制程芯片。据美国有线电视新闻网消息，IBM在5月6日宣布，已经制造出一...

日本经济新闻6日三星与台积电的差距在扩大为题，分析两大尖端半导体制造商，并指出三星与台积电的技术差距也将扩展至手机性能上与苹果的差距。据报导，三星在智能手机的芯片产量方面陷入苦战，代工生产的销量降低。而这样的劣势有可能导致三星的半导体记忆体及智能手机等，主...

三星已故会长李健熙（中）与妻子洪罗喜（左）、女儿李叙显，2010年一同参观拉斯维加斯消费电子展的档案照。三星已故会长李健熙遗孀洪罗喜在取得分配到的遗产之后，估计身价达到74亿美元，相当约新台币2,072亿元。彭博资讯报导，根据上周向有关机关申报的资料，75...

Galaxy S21系列是三星今年上半年发布的年度旗舰，包括Galaxy S21、Galaxy S21+和Galaxy S21 Ultra三款。4月29日消息，据媒体报道，三星Galaxy S21系列成本相比上一代Galaxy S20系列有所降低。报道指出...

韩国三星集团已故会长李健熙家族4月28日宣布，他们计划缴纳逾12兆韩元（约107.8亿美元）遗产税。法新社报道指出，这是全球有史以来最大的遗产税款之一。路透社也说，李氏家族对这一巨额遗产税的处理一直受到密切关注，因为这可能会导致李氏家族在三星的控股股权被稀...

据报道，韩国三星电子供应链也将跟进苹果公司，将欧菲光踢出供应链名单。在这之前欧菲光发布公告称，下修业绩预期，预计2020年亏损18.5亿元，此前预计盈利8.1亿-9.1亿元。公告表示，因该突发情况，相关资产减值测试的假设发生重大变化，公司第一时间披露相关风...

图为北京一家华为零售店。市场研究机构Strategy Analystics日前发布的2021年第一季度的全球手机出货量报告显示，全球智能手机出货量3.4亿部，同比增长24%，创下2015年来的新高。三星以7700万台的出货量排名第一，市场份额23%，年增长...

美国国会要求拜登政府扩大对陆半导体设备禁令，禁止出口深紫外光（DUV）曝光设备至大陆，业界分析，此举将可让白宫加大压抑大陆发展半导体产业的力道，另一方面，也让三星、SK海力士等大厂对布局大陆却步，可能将资金转至美国投资，达到拜登扩大美国半导体产业发展的目的...

苹果、三星接连宣布将在4月下旬举行新品发表会，外界认为，苹果将端出新款iPad或全新配件AirTag；三星透露新品是“史上最强悍的Galaxy设备”，市场猜测可能为Galaxy Book Pro笔电系列。苹果公司（Apple）日前发出邀请函宣布，将于美东时...

有业界人士表示，台积电和中芯国际的技术差距长达6至9年。里昂证券分析师侯明孝（Sebastian Hou）4月12日在谈及大陆和台湾的科技差距时表示，台湾芯片制造商居于世界领先地位，大陆中芯国际和台积电的技术差别有6年，甚至有9年的差距。据《香港经济日报》...

众所周知，三星近两年一直在努力推进折迭屏手机，今年还推出了Galaxy Z Fold2+Galaxy Z Flip的双线策略，且折迭屏的实用性大增，收获颇丰。目前，三星的两款折迭屏手机分别采用了上下翻折和左右翻折两种不同形态，但三星依然不满足于现状。根据最...

据韩媒报导，三星电子(005930-KR)在美国德州的芯片厂已经接近恢复正常运行，此前由于美国暴雪及停电，造成工厂关闭近6周。周一(29日)来自半导体行业的多个消息来源指出，三星的德州厂正在满负荷运转。这家韩国芯片巨头，从本月初开始部分恢复芯片生产线的运营...

来自HPCwire消息，三星电子3月24日宣布成功开发了单条容量512GB的 DDR5模组，使用了 High-K Metal Gate(HKMG)工艺，可以提供超过 DDR4内存一倍的性能表现，达到7200Mb/s。三星表示，新款内存可以用于超级计算机、人...

这几年，台积电在半导体工艺上一路策马扬鞭，春风得意，能够追赶的也只有三星了，但是后者的工艺品质一直饱受质疑。IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Mb(32...

三星晶圆厂将成为第一家在即将到来的3nm工艺中使用类似全栅场效应晶体管（GAAFET）结构的半导体制造商。虽然该节点尚未准备就绪，但在IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，三星晶圆厂的工程师分享了有关即将推出的3 nm GAE MBCFET（multi...

三星位于德州奥斯汀的晶圆厂先前因暴风雪停电、停水，目前三星预计四月该厂生产的九成NAND Flash控制IC出货将大受影响。供应链预期，三星NAND Flash控制IC为应用在自家模组，因此随著IC出货递延，预期将会有客户转单潮，美光、东芝及群联（8299...

三星的赴美设厂计划透过向当地政府的申报文件曝光，计划投资金额为约170亿美元。 路透在拜登政府宣示将美国芯片供应列为优先事项之际，韩国三星电子公布更多赴美兴建先进半导体工厂的细节，该公司提交给德州政府的文件显示，三星计划的投资金额约170亿美元。彭博资讯报...