牛皮吹破！揭中国存储器“一哥”遭遇瓶颈
由于内存短缺、价格飙升，市场传出中国DRAM龙头长鑫存储（CXMT）正大举扩厂抢商机。不过韩媒披露，长鑫存储去年第四季产能已达高峰，目前面临瓶颈，主因美国收紧出口管制，限制其扩产。此外，良率仍是关键难题，实际出货量可能不及预期。
韩媒《Chosun Biz》12日报道，长鑫存储产能去年第四季触顶。尽管中国积极推动半导体设备国产化，但在美国先进设备出口限制下，新增产能受阻。市场调查机构Omdia数据显示，长鑫存储月均晶圆产量约24万片，已达最高水平。业内预计，持续扩产至今的长鑫存储，今年产量将遇瓶颈。
目前长鑫存储DRAM产能约为SK海力士的一半、三星电子的三分之一以上。去年三星DRAM年产能约760万片晶圆，SK海力士597万片，美光360万片。长鑫存储去年晶圆产量翻倍、市占提升，但今年成长趋缓。
LS Securities研究员车勇浩指出，美国出口管制收紧限制扩产，北京正加码扶植设备国产化。若明年国产设备取得突破，扩建计划或于2027年恢复，包括上海新厂。
不过良率仍拖累产出。因缺陷问题，产能与实际产量存在落差。业内人士指出，DRAM设计与制程复杂，长鑫存储要追赶三星与SK海力士的先进制程仍需时间。随着制程迈向10纳米以下，对EUV等设备需求大增，但在美国限制下取得困难。
受到美国出口限制冲击，中国长鑫存储产能扩张受限。示意图。（路透）
