三星电子是韩国“护国神山”，美国总统拜登去年访问时都特地参观。路透社资料图片
韩国半导体大厂三星电子一名高层，涉嫌收受中国贿赂，意图盗取机密并在中国境内建设半导体厂。韩联社报道，韩国水原地检署表示，已经以涉嫌违反“产业技术保护法”、“防治不当竞争法”等罪，对这名65岁常务A某提出拘留起诉。
A涉嫌从2018年8月至2019年以不当手法，获取并使用三星电子半导体工厂基本工程数据、工艺流程图、设计图等信息。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）和闪存芯片（NAND）的制程工艺，属于国家关键技术。
经调查发现，A企图在距离三星电子西安半导体工厂仅1.5公里处，兴建山寨版三星芯片厂。由于台湾一家电子产品制造商曾承诺的8万亿韩元（约合人民币443亿元/62.2亿美元）投资落空，工厂建设项目没有实际进行。但据悉，A曾在成都获得4600亿韩元（3.58亿美元）投资建设半导体工厂，其中研发楼已于去年完工，并采用三星电子半导体技术生产出了样品。
A曾任三星电子常务、SK海力士副社长等职务，是韩国半导体制造领域具有权威地位的人物。他在华设厂后录用200名三星电子、SK海力士的员工，并指示他们获取并利用三星电子半导体设计资料。检方推算，A泄露技术给三星电子至少造成3000亿韩元（2.33亿美元）损失。
A在中国设立公司所属5名员工及一名三星电子合作厂商员工，也以涉嫌违反“防治不当竞争法”遭起诉，但当局对他们采取“不予拘留”。
