韩国芯片巨头SK海力士（SK Hynix Inc.）星期三（4月3日）宣布，将投资38.7亿美元在美国印第安纳州建立下一代高带宽内存（HBM）生产基地，并计划于2028年下半年开始量产。
SK海力士表示，公司将在印第安纳州西拉斐特（City of West Lafayette）兴建人工智能（AI）芯片先进封装生产基地，并与普渡大学等当地研究机构开展半导体研发合作。
据韩联社报道，这是半导体制造商首次在美国开建AI芯片先进封装厂。
SK海力士在当地时间星期三（4月3日）在位于西拉斐特的普渡大学与印第安纳州政府、普渡大学、美国联邦政府官员等共同举行投资签约仪式，并正式发布建厂计划。
SK海力士预计从2028年下半年起量产下一代HBM等AI芯片。
值此之际，韩国与美国官员正在深入讨论对华半导体设备出口问题，美国要求韩国对向中国出口半导体技术采取类似华盛顿已经实施的限制。
知情人士最近向彭博社透露，美国官员希望韩国限制制造高端逻辑和存储芯片的设备和技术流向中国，包括比14纳米更先进的逻辑芯片以及一种超过18纳米的DRAM内存。这些要求与美国商务部2022年首次宣布的一系列措施一致。
美中芯片战持续升级的背景对韩国压力增加。例如去年5月，中国为报复封杀了美国存储芯片制造商美光（Micron）产品之后，美国最亲密的亚洲盟友之一韩国是否采取行动防止韩企回填市场缺口即引起关注。中国官媒《环球时报》还公开呼吁，韩国应“消除美国胁迫”，扩大对华半导体出口。
目前，韩企三星电子和SK海力士等大公司仍在中国运营，中国是韩国最大的贸易伙伴。
据报道，韩国政府为维护韩美关系，考虑“一定程度”予以配合出口管制，但因可能引发北京的潜在惩罚持谨慎态度。
此外，韩国作为全球主要芯片生产基地之一，其技术被泄露至中国的问题日益严重，来自中国竞争对手的追赶也愈发迅猛。韩国为此致力于加强与西方国家的合作，以维持自身在技术上的优势。
韩国总统尹锡悦去年邀集产业领袖、官员、立法者，召开半导体国家战略会议。尹锡悦当时表示，美中紧张局势将芯片产业的竞争推向“全面战争”，韩国政府将携手美国等盟邦，全力支持韩国芯片产业的发展。
SK海力士的全球HBM市占率居首，它向芯片巨头英伟达（NVIDIA）独家供应第四代HBM——HBM3，并从上月末开始向客户提供第五代产品HBM3E。
韩联社报道称，SK海力士已向美国政府提交半导体生产补贴申请书。
根据美国政府于2022年签署成法的《芯片与科学法》（CHIPS and Science Act），将划拨520亿美元的补贴支持在美国本土的半导体产业制造与研发，以帮助美国重新获得半导体芯片制造的领先地位。
