芯片示意图。(ShutterStock)
中共工信部9月初公布的“首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)”,列出全新自制DUV光刻机,分辨率为≤65nm,套刻精度≤8nm。许多人盛传“可生产8奈米芯片”,突破美国封锁,结果被中国科技媒体打脸。
9月16日,科技媒体“芯智讯”报导,各种关于国产光刻机大突破言论满天飞,甚至还有人一看到“套刻≤8nm”就认为这是8nm光刻机,令人啼笑皆非。
报导列出工信部公布的数据,并解释说,氟化氪光刻机其实就是老式的248nm光源的KrF光刻机,分辨率为≤110nm,套刻精度≤25nm;氟化氩光刻机则是193nm光源的ArF光刻机(也被称为DUV光刻机),但披露的这款依然是干式DUV光刻机,而非更先进的浸没式DUV光刻机(也被称为ArFi光刻机)。
(网络截图)
从工信部披露的参数来看,此DUV光刻机分辨率为≤65nm,套刻精度≤8nm。虽然相比之前上微的SSA600光刻机有所提升(分辨率为90nm),仍并未达到可以生产28奈米芯片的程度,更达不到制造什么8奈米、7奈米芯片的程度,很多网友把套刻精度跟光刻制造制程节点水平搞混了。
光刻精度主要看的是光刻机的分辨率,65nm的分辨率,那么单次曝光能够达到的工艺制程节点大概就在65nm左右。套刻精度则指的是每一层光刻层之间的对准精度。
报导指出,这个65nm的光刻分辨率、套刻精度≤8nm,最多能够做到55nm制程。大概相当于荷兰ASML(阿斯麦)公司18年前(2006年)推出的XT:1450的水平。