中共国正全力推动半导体自给自足，近期“中国自主研发EUV光刻机计划”再次引发市场关注，被形容为中国版“曼哈顿计划”。然而，多位专家指出，这类高调宣传背后往往隐藏巨大技术落差与投资风险，甚至可能滋生资本泡沫与诈骗问题。
美国科技政策与出口管制专家认为，外界对中国EUV研发的期待明显过高。即便在实验室层面取得初步成果，距离具备量产稳定性的商业设备，仍存在数个世代的技术差距，短期内难以实现经济回报。EUV光刻机是先进制程芯片不可或缺的核心设备，目前全球仅ASML具备量产能力，研发门槛极高，中国在设备整合、零组件与长期可靠性方面仍面临严峻挑战。
外媒披露，中共即使通过逆向工程制造出EUV原型机，但该机至今仍未量产任何芯片，技术远未成熟。这也反映出在政策推动下的大规模投入，未必与实际技术能力相匹配。
类似问题在中国半导体产业并非首次出现。2000年代初的“汉芯1号”造假案中，陈进将国外芯片重新标记，伪装成国产成果，骗取逾亿元科研经费与多项补助，最终遭揭发，成为中国首宗重大芯片造假事件。
中国假芯事件不断发生。（示意图，路透资料照）
近年来，地方政府与产业基金推动的多个大型项目亦相继失败。武汉弘芯（HSMC）曾宣称投资1280亿元建设14与7纳米产线，最终因资金断裂于2021年解散，未实现任何量产。类似的济南泉芯项目同样因技术与管理不足陷入停摆。这类项目往往通过高调宣传、政府背书与高薪挖角吸引资金，却缺乏真正的技术基础，被外界批评为“吸金工程”。
与此同时，技术获取风险也备受关注。韩国检方近期起诉多名三星前高管与工程师，指控其将10纳米级DRAM核心技术非法泄露给中国企业；类似案件过去亦曾发生，凸显在资金与人才流动加剧下，知识产权风险持续升高。
韩国检方起诉包括三星电子前高管，与研发人员在内多名人士，指控他们非法泄露技术给中国长鑫存储。（美联社资料照）
综合外媒分析，中国半导体产业虽雄心勃勃，但从EUV研发到多起失败案例可见，高额投资与技术实力之间仍存在明显落差。《南华早报》与《路透》均指出，若缺乏扎实技术积累与有效监管，相关投资恐持续面临泡沫与风险。专家认为，唯有回归技术本质、强化治理机制，才能真正提升国际竞争力。
