海外知名半导体研究机构SemiAnalysis突然拆解了华为麒麟9030。 翻摄自X @SupFin
知名半导体研究机构《SemiAnalysis》近期发布最新拆解报告，针对华为最新款的麒麟 9030 芯片进行深度技术分析。报告明确指出，在缺乏极紫外光（EUV）光刻机的严格设备限制下，华为与中芯国际确实成功透过深紫外光（DUV）的多重曝光技术，持续突破了先进芯片的制程瓶颈。这项技术进展显示，即使面临长期的出口禁令，中国半导体产业仍试图在夹缝中寻求实质的技术突围。
进一步解析中芯国际的 N 3 制程技术，《SemiAnalysis》的测量数据震惊了科技业界。该制程的最小金属间距已经达到 32.5 奈米，这项关键指标甚至比美国芯片巨头英特尔（Intel）最先进的 18A 制程所标示的 36 奈米，还要再缩小约 10% 左右。单就金属间距这项影响晶体管密度的数据来看，中芯国际在特定制程节点上，确实已经达到了全球领先的技术水准，展现出不容小觑的研发能量。
然而，这项惊人的技术突破背后，却伴随着极其高昂的代价。分析师强调，高度依赖 DUV 进行多重曝光，意味着芯片制造必须经历更复杂的曝光工序，这不仅大幅拉长了生产周期，更导致良率显著降低，进而使整体的芯片生产成本急遽飙升。这反映出美国实施的半导体设备出口管制与制裁措施，确实对中国产生了强烈的实质打击，显著垫高了中国芯片厂商在每一步技术推进上的财务与时间成本。
尽管如此，这份拆解报告也得出了一个关键结论，即华为与中芯国际的合作案例证明，美国的限制虽然让先进芯片的制造成本变得极为高昂，但依然无法完全阻止中国在半导体技术上继续向前迈进。未来中美两国在科技与芯片领域的角力，恐将因为这颗新芯片的问世，迎来更加激烈的防堵与反制攻防战。
32.5奈米间距超越英特尔！中芯国际良率代价极高 没有EUV也能突围美国制裁破功？ 图 : 翻摄自青木在德国
