路透报导，长鑫存储计划开始生产HBM3E，尽管良率可能低达20%。(路透)
路透指出，长鑫储存即使HBM3E良率仅20%至30%仍将量产，反映中国在美国管制下急缺AI内存，国产替代压力沉重。
路透引述两名知情人士说法报导，中国内存制造商长鑫存储计划开始生产先进高带宽内存HBM3E，尽管良率可能低达20%。
此一决定凸显中国面临AI内存严重短缺的困境。在美国限制取得外国技术之际，这类芯片是中国推动大规模开发辉达（NVIDIA）AI处理器国产替代品的重要关键，而相关计划也获得中国政府支持。
知情人士表示，中国最大DRAM制造商长鑫已向几家本土AI芯片设计业者提供HBM3E样品，预期未来两个月内开始小规模生产；在良率方面，目前仅约20%至30%，远低于市场龙头韩国SK海力士约70%的良率。
长鑫未回应置评请求，SK海力士则未立即回应有关良率估算的置评请求。
在2024年12月，美国紧缩部分先进HBM产品出口至中国的管制。知情人士说，中国芯片制造商愈来愈常透过非正式管道取得这类内存，但价格可能高出正常水准数倍。
知情人士指出，尽管良率偏低，长鑫仍持续推动HBM的生产计划，原因在于中国AI芯片制造商一直难以取得足够的先进内存，无法进一步扩大产量。
路透上月报导，华为、寒武纪、沐曦及天数智芯，已将现有与下一代AI芯片的价格调涨20%至50%，反映内存成本上升，使得扩产面临更复杂因素。
其中一名知情人士表示，长鑫的HBM3E预期将比海外竞争同业的同类产品更贵。知情人士另指出，长鑫最早在2024年就已开始在内部研发这项技术。
落后竞争同业数个世代
其中一名知情人士表示，在测试中，长鑫HBM3E的效能更接近SK海力士上一代的HBM3，而非后者现有的HBM3E。
另一名知情人士表示，长鑫已向客户提供两种版本的HBM3E：一种是标准设计，另一种则是经过更新、加入旨在提高良率的改良设计。
目前，SK海力士、三星电子及美光主导全球HBM供应，根据研调机构Counterpoint，这三家业者在全球HBM营收的占比分别为50%、33%与18%。
长鑫在第2季占全球DRAM营收的10%，是全球第四大传统内存供应商。然而，美国出口管制限制长鑫取得一些最先进的芯片制造设备，因此更难缩小与全球竞争同业的差距。
三星今年7月表示，已扩大HBM4销售，并向主要客户交付 HBM4E样品。这意味着，在商业化 HBM生产方面，长鑫至少落后一个世代。
