周日（9月13日），韩国将正式扩大间谍罪适用范围，把过去主要针对朝鲜的法律，延伸至其它外国或同等组织。修法正值中企快速追赶韩国半导体产业，多宗涉及中国的技术外泄案也接连曝光，首尔正把核心技术保护提升至国家安全层级。
据彭博社报导，韩国警方去年侦破的敏感技术外泄案件中，约一半涉及中国。三星电子、SK海力士等韩国芯片巨头，也面临长鑫存储（CXMT）、长江存储（YMTC）等中国企业的快速追赶。
上个月，韩国产业通商资源部部长金正官（Kim Jung-kwan）谈到中国在半导体领域的投资时表示：“中国的速度超乎想像。这就是为什么我感到极其强烈的紧迫感。”
73年来首次扩大间谍罪范围
韩国国会今年2月26日通过《刑法》相关修正案，9月13日起生效。这是相关条文自1953年制定以来，73年来首次大幅扩大适用范围。
过去，韩国间谍罪主要针对替“敌国”从事间谍活动，而法院实务上把“敌国”理解为朝鲜。这意味着，即使有人把半导体等敏感技术交给中企或其它外国实体，检方往往也只能援引产业技术保护等其它法律处理。
修法后，为“外国或同等组织”刺探、搜集、泄露、交付或居间转交国家机密，都可能纳入间谍罪范围。不过，新罪名仍要求相关行为涉及外国实体的“指示或唆使”，以区分间谍活动与一般商业技术移转。
近年来，韩国接连发生产业技术外泄案件。
据韩国经济研究院与产业通商资源部数据，2020年至2025年上半年，共发生110宗产业技术海外外泄案件，其中33宗涉及“国家核心技术”，估计造成23.27万亿韩元损失。
三星技术外泄案凸显技术外流风险
半导体是韩国最关切的领域之一。去年12月，韩国检方起诉10人，指控他们涉嫌把三星电子的DRAM制造技术泄露给中国长鑫存储。
据路透社报导，一名前三星研究员在准备离职加入长鑫存储时，以手写方式抄录数百项DRAM制造流程，包括设备规格、制程顺序及良率最佳化等详细内容。检方称，这些笔记其后被用来打造长鑫存储的相关制程。
检方还称，长鑫存储透过供应商取得SK海力士的其它DRAM技术，进一步加快研发。
三星、SK海力士与长鑫存储均拒绝就案件置评。
检方表示，三星曾投入1.6万亿韩元开发相关DRAM制程，但长鑫存储在调整并验证遭泄露的资料后，于2023年实现10纳米级DRAM生产。检方认为，这也为长鑫存储进一步开发高频宽记忆体（HBM）奠定基础。HBM目前是人工智能运算的重要零组件。
彭博社引述Counterpoint Research数据称，长鑫存储2026年第二季在全球DRAM市场的占有率已达10%，三星与SK海力士分别约为38%及25%。
新法仍面临执行问题
修法虽堵住部分法律漏洞，但韩国国防产业也关注新法的适用边界。
业界人士指出，“国家机密”、“同等组织”等概念仍需进一步厘清，以免正常出口、联合开发或技术支援陷入法律争议。
全北大学国防产业副教授张元俊（Jang Won-joon，音译）表示：“企业不应因为已签订出口合约，就认为所有技术资料都可以提供。”他认为，相关风险仍须依不同技术，透过政府批准及企业内部管控处理。
随着新法正式生效，韩国将取得更广泛的法律工具，处理向外国泄露国家机密的案件；但如何界定国家机密，以及证明相关行为受到外国实体“指示或唆使”，仍将成为实际执法的重要考验。