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科技重大突破!美光量产新款NAND快闪记忆体

外国传媒报道,美光科技周二(10日)宣布全球首款176层3D NAND快闪记忆体已正式出货,实现前所未有、领先业界的储存容量和效能。美光新推出的176层技术及先进架构为一重大突破,可大幅提高资料中心、智能边缘运算,以及手机装置等储存使用案例的应用效能。

美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer指出,美光的176层NAND为业界树立了新标竿。此层数比最接近美光的竞争对手高出近40%。结合美光的CuA(CMOS-under-array)架构,该技术使美光得以维持在产业中的成本领先优势。

美光执行副总裁暨业务长Sumit Sadana也表示,美光的176层NAND有助于客户实现突破性的产品创新。公司正广泛地将这项技术使用在所有可能采用NAND的产品线中,并为使用NAND的所有领域带来新价值,尤其是5G人工智能、云端及智能边缘运算的成长机会。

美光176层NAND为资料中心SSD的关键设计标准,可以加速资料密集环境和工作负载,例如人工智能引擎及大数据分析。对5G智能手机而言,强化的服务品质,使其能更快地在多个应用程式之间进行载入和转换,创造更流畅且快速的手机使用体验,实现真正的多工作业,并充分利用5G低延迟网络。

美光第五代3D NAND的ONFI(Open NAND Flash Interface)汇流排,在汽车应用中,此速度将在引擎启动后立即为车载系统提供接近即时的回应时间,有助于加强使用者体验。

责任编辑: 楚天   来源:东网 转载请注明作者、出处並保持完整。

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