随着半导体工艺深入到5nm以下，制造难度与成本与日俱增，摩尔定律的物理极限大约在1nm左右，再往下就要面临严重的量子隧穿难题，导致晶体管失效。
当然，各大厂商的先进工艺在实际尺寸上都是有水分的，所以纸面意义上的1nm工艺还是会有的，台积电去年就组建团队研发1.4nm工艺，日前CEO刘德音又表示已经在探索比1.4nm更先进的工艺了。
1.4nm再往下就是1nm工艺了，这也是半导体行业都在追求的工艺，去年IMEC欧洲微电子中心公布的路线图显示，2nm工艺之后是14A，也就是1.4nm工艺，预计2026年问世，
再往后就是A10工艺，也就是1nm，2028年问世。
当然，实际能量产的时间可能回比2028年晚一些，毕竟新技术不跳票是不可能的。
与此同时，在2nm节点之后的新工艺研发生产中，EUV光刻机也要大升级一次，ASML预计会在2026年推出High NA技术的下一代EUV光刻机EXE:5000系列，将NA指标从当前的0.33提升到0.55，进一步提升光刻分辨率。
但是下一代EUV光刻机的代价也很高，售价会从目前1.5亿美元提升到4亿美元以上，最终价格可能还要涨，30亿一台设备很考验厂商的成本控制。
