传出三星、台积电将共同研发HBM4。（示意图/达志影像/shutterstock）
半导体界震撼弹！南韩三星传出将携手台积电共同开发最新高频宽记忆体“HBM4”。此举不仅回应了辉达等人工智能（AI）芯片大厂的迫切需求，同时也是三星向SK海力士发出挑战的宣示。倘若这项传闻属实，将是台韩半导体巨头首次于AI领域强强联手，产业竞争版图势必重新洗牌。
韩国经济日报、BusinessKorea报导，三星记忆体业务部门负责人李祯培（Jung-Bae Lee）正在台湾参加国际半导体展“SEMICON Taiwan2024”执行长峰会，他强调单纯仰赖传统记忆体制程无法显著提升HBM效能，客制化HBM才是在此领域获得突破的关键。
李祯培透露，三星正寻求与其他公司合作，利用其他晶圆代工厂的产能，提供客户20多种客制化解决方案。
台积电生态与联盟管理负责人Dan Kochpatcharin5日在《SEMICON Taiwan2024》表示，三星与台积电正在共同研发一款无缓冲（bufferless）的HBM4芯片。他说，随着记忆体制程日益复杂，与合作伙伴的密切合作变得前所未有的重要。
分析人士指出，倘若三星与台积电决定携手研发无缓冲HBM4记忆体，将是两家全球半导体巨头在人工智能（AI）芯片领域的首次合作。
业界消息指出，三星、台积电将从从第六代HBM4开始芯片研发。三星预计于明年下半年量产HBM4，台韩两大厂将为辉达、Google等大客户提供客制化芯片解决方案和完善服务。
在记忆体市场的激烈竞争中，三星正全力追赶HBM领域的龙头SK海力士。据产业研究机构集邦科技的数据，SK海力士目前在HBM市场上取得53%的市占率，而三星则紧追在后，市占率为35%。
SK海力士早在今年4月就宣布与台积电展开合作，预计于2026年量产下一代记忆体芯片HBM4。随着业界对HBM需求的不断攀升，三星和SK海力士之间的竞争势必将更加激烈。
