近日，一份法律证词揭露，中国内存芯片制造商长鑫存储科技（CXMT）创立初期就锁定了三星的DRAM核心制程技术。该中企被控窃取三星核心技术，引发韩国科技界的高度关注，要求加强泄漏国家核心技术刑罚的呼声日益高涨。
近日在韩国首尔中央地方法院的庭审中，一名曾任职三星电子、后跳槽协助长鑫存储创立的全姓（Jeon）工程师出庭作证指出，CXMT于2016年成立时，公司高层无意自主研发，而是锁定窃取三星核心资料。
全某表示：“当时CXMT既无研究机构也无生产设施，且无意透过自主研发来开发技术。”他因转职至CXMT后，非法取得并使用三星电子的18奈米DRAM制程技术，于去年4月一审被判处七年有期徒刑。
韩国检方自2024年1月至去年12月调查此案，认为三星电子耗时五年、投入约1.6兆韩元研发的18奈米DRAM制程技术已外泄至CXMT。检方指出，CXMT透过招募三星前高层与员工，对泄漏的制程资讯进行修改与验证以适配当地设备，最终成功量产10奈米级DRAM芯片。
检方因此以违反国家核心技术外泄相关法律为由，起诉包括全某在内共10名参与技术外泄的研发人员。
三星或向美国国际贸易委员会提出申诉
据韩国《中央日报》引述匿名律师说法，三星可依据美国《关税法》第337条，向美国国际贸易委员会（ITC）提出申诉，寻求排除令（exclusion order），禁止涉及商业机密挪用或专利侵权的产品进口美国。
该律师指出，“即使CXMT没有直接将芯片出口到美国，只要相关产品作为零组件嵌入其它产品后进入美国，仍然会被视为进口。”
三星也可在美国联邦地方法院提起民事损害赔偿诉讼；若产品出口至其它国家或地区，亦可在当地提起诉讼。
