大陆存储芯片企业长鑫科技宣布4F²架构关键进展。图为2026年7月27日，长鑫存储科技（CXMT）工厂入口。
大陆存储芯片企业长鑫科技宣布4F²架构关键进展，引发美光和三星等芯片巨头的股价下跌。不过，分析指这是夸大了近期竞争威胁。
本周，中国最大的DRAM制造商长鑫科技（又称“长鑫存储”），宣布率先在下一代内存技术取得关键突破，完成新一代4F²架构设计。该技术透过垂直电晶体设计，减少单元面积，跟目前主流的6F²横躺式架构相比，能让芯片体积更小、储存密度更高，成本更低。长鑫科技还预告称，今年底前推出以这个架构设计，专为企业级服务器与AI数据中心打造的DDR5产品，象征其从低端的消费性电子芯片进军高端芯片领域。
三星与SK海力士预计2028年才推出4F²架构设计，市场担心长鑫科技的竞争威胁将侵蚀产业利润。
DRAM是电脑、手机、服务器和人工智能（AI）算力不可或缺的存储部件，这一市场长期由韩国的三星、SK海力士和美光科技三巨头主导，合计市占率达全球90%。数据显示，长鑫科技今年第二季度全球市占率10%，高于去年同期的4%。
与此同时，全球股市科技板块出现波动，美国美光科技和韩国三星等芯片巨头股票被抛售，韩国股市更触发熔断机制。有分析认为，这与长鑫科技宣布4F²架构关键进展有关。
不过，Investor's Business Daily在10月14日的报导引述分析师观点指出，投资人对长鑫科技取得“4F²架构关键进展”的反应过度，因为相关技术的量产与良率不明，长鑫科技充其量是纸老虎，不会对美光等内存厂商构成重大挑战。
Rosenblatt Securities分析师卡西迪（Kevin Cassidy）表示，“这种反应夸大了近期竞争威胁，忽略了重塑DRAM需求的结构性变化。”
他表示，长鑫科技距离扩大新型芯片的生产规模和提高良率还有很长的路要走。“长鑫科技的报告并未明确指出制造良率或晶圆产量。新架构可能面临巨大的初期良率挑战。如果没有这些信息披露，产品上市目标就难以证明其具有竞争力和高产量经济效益。”
也有分析师指出，长鑫科技发布信息不代表市场已被颠覆，本周这场芯片股抛售潮的根本原因，是今年以来AI类股早已累积巨大涨幅，但市场对于AI泡沫与资金断链的焦虑日益加重，任何技术竞争或利空消息，都会成为投资人顺势获利了结的理由。
