韩国三星电子今天发表全球首款3纳米芯片，比竞争对手台积电抢先一步。（欧新社）
韩国三星电子今天发表全球首款3纳米芯片，比竞争对手台积电抢先一步。韩国官员承诺，政府将在构建半导体生态系统方面提供全方位支持。
韩联社报导，三星电子（Samsung Electronics Co.）今天在京畿道华城厂区内的极紫外光（EUV）专用V1生产线，举行了适用新一代闸极全环晶体管（Gate-all-around，GAA）技术的3纳米芯片产品出厂纪念活动。
据报导，韩国产业通商资源部长李昌洋、三星电子DS本部长庆桂显、以及员工和合作商有关人士共100多人出席了这场活动。
三星电子上月底才宣布全球首款基于GAA技术的3纳米工艺半导体产品投入量产。3纳米工艺是半导体制作工程中最为尖端的制程技术，三星电子为超越台积电和英特尔（Intel）等竞争对手，率先推出该技术。
与此前使用鳍式场效应管（FinFET）的芯片相比，这项新产品采用芯片面积更小、电耗减少、性能提升的GAA技术，在技术层面意义重大。
三星电子自2000年代初期开始启动GAA技术研究，2017年将其用于3纳米制程，近期投入量产。三星电子晶圆代工事业部表示，将以创新技术迈向全球最高顶点。
李昌洋承诺，以日前政府公布的半导体强国发展战略为基础，政府将在构建半导体生态系统方面提供全方位支持。
三星电子将首次把3纳米GAA工艺用于高速运算（HPC），并计划与主要合作商携手将其扩至系统单芯片（SoC）等多种产品群。
三星电子计划继华城厂区之后，在平泽厂区也投入量产GAA技术的3纳米芯片。
