韩国三星与海力士。图：翻摄自腾讯网
《路透社》今（21）日引述4名知情人士报导，尽管美国持续限制先进芯片设备出口中国，韩国两大内存厂三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）仍积极升级中国工厂，计划生产更高层数 NAND闪存，以满足 AI带动的储存需求，同时应对中国长江存储（YMTC）快速崛起的竞争压力。
报导指出，两家韩厂正推动中国生产基地升级，目标将 NAND制程推进至200层以上，缩小与韩国本土工厂的技术差距。三星与 SK海力士均证实升级作业正在进行，并与美国政府密切沟通，但未透露具体生产计划。
自美国2022年实施半导体设备出口管制以来，韩厂若要在中国工厂安装美制蚀刻设备等机台，须每年申请出口许可。美国商务部工业暨安全局（BIS）去年更表明，原则上仅允许维持既有工厂运作，不打算核准扩产或技术升级所需设备。
据知情人士透露，三星位于中国西安的工厂，目前主要生产约200层 NAND，产量约占三星全球 NAND产出的40%。
三星正透过内部代号“Monami”的计划，将西安厂升级至286层的第九代 V9 NAND，目标今年12月达到每月5,000片晶圆，并于2027年底提高至每月4万片。公司强调，相关升级符合美国出口管制规定，主要为满足全球客户需求，并未计划扩大整体产能或兴建新厂。
另方面，SK海力士计划将中国大连厂的 NAND制程，由目前约192层提升至240层以上。该厂为 SK海力士2021年收购英特尔 NAND业务时取得，目前隶属旗下储存事业 Solidigm。
消息人士指出，SK海力士已获准在大连厂生产最高240层 NAND，未来可能进一步申请研发300层以上产品，为后续在美国生产先进 NAND铺路。公司也正与川普政府讨论在美国兴建新 NAND工厂的可能性。
韩厂加速升级中国厂之际，长江存储的竞争力也持续提升。根据市场研究机构 Omdia统计，长江存储今年第二季在中国 NAND市场的市占率达38.5%，高于去年全年的28%，并超越三星成中国市场最大供应商。
相较之下，三星市占率由36%降至33.5%，SK海力士则从20%下滑至17%。知情人士透露，长江存储目前主力产品为160层及232层 NAND，另已少量生产294层产品，并计划进一步挑战300层以上制程。
随着长江存储加速追赶，三星与 SK海力士正试图提升中国厂的技术竞争力，但美国出口管制仍是升级计划面临的主要障碍。
