图为高频宽记忆体（HBM）芯片示意图。（Shutterstock）
全球半导体技术分析公司TechInsights于8月27日发布了对华为海思麒麟9030 Pro的分析报告。该新分析为之前的结论提供了实证资料：该芯片所采用的中芯国际N+3制程，在整体制程密度与先进程度上仍远低于台积电或三星已商业化的5nm制程。
8月27日，总部位于加拿大的TechInsights在其官网发布了题为“海思麒麟9030 Pro制程流程分析：中芯国际的N+3制程与业界先进制程节点相比如何？”（HiSilicon Kirin9030 Pro Process Flow Analysis: How Does SMIC’s N+3 Process Compare to Leading-Edge Nodes?）的分析报告。截至目前，SMIC N+3是公开资料所能确认的中国最先进国产逻辑制程。
TechInsights表示，已对海思麒麟9030 Pro的中芯国际（SMIC） N+3进行制程逆向工程分析，并把SMIC N+3制程与业界先进制程节点做了对比。此分析是试图回答外界高度关注的问题——SMIC N+3与台积电、三星领先制程相比，究竟还有多少差距？
TechInsights表示，外界一直在关注中芯国际在持续受到出口管制，极紫外光（EUV）微影技术的情况下，在先进逻辑制程方面的进展，以及为华为等中国企业制造先进芯片的真实能力。
TechInsights先前已拆解华为智能手机Mate80 Pro Max搭载的麒麟9030。当时外界对这款处理器究竟采用5nm、6nm，或SMIC N+2改良制程众说纷纭。由于中芯并未公布相关制程路线图，TechInsights通过芯片结构及尺寸实测，最终确认麒麟9030采用的是SMIC N+3，是中芯国际7nm级制程的缩放演进版本。
先前的分析显示，相较于SMIC N+2，SMIC N+3实现了显著的电晶体密度提升，但同时也证实，SMIC N+3的缩放程度仍明显落后于台积电与三星商用的5nm制程。TechInsights的新分析为这些比较提供了实证依据。
TechInsights的竞争对手SemiAnalysis在一个多月前已经对SMIC N+3做了逆向分析。
SemiAnalysis在7月14日发布的分析结果中明确指出：麒麟9030 Pro的性能与三年前的安卓旗舰机型相仿，远逊于苹果、高通、联发科和三星目前的旗舰级单芯片系统。
SemiAnalysis称：通过先进的DUV多重曝光技术和设计协同优化，SMIC N+3制程实现了与台积电6nm制程相当的密度，但代价是制程复杂，并且效率和控制方面有所降低。
SMIC N+3需要更复杂的DUV多重曝光技术，因此在制程成熟度和成本方面仍不及台积电6nm制程。
就华为的海思麒麟9030 Pro是否能用于AI数据中心，TechInsights在今年3月份已做了分析，结论是：“尽管中国已经能够利用SMIC N+3制程节点，制造出达到产品品质要求的智能手机芯片，但我们认为，这套制程并不适合用于资料中心AI芯片。其原因在于，DUV光刻技术本身的限制，还有SMIC N+3制程仍相对新，两者叠加之下，可能导致良率偏低。而资料中心AI芯片的尺寸远大于智能手机芯片，因此这种良率问题会更加明显。”
