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三星牛皮吹破了?外媒踢爆3奈米真实良率 高通恐又投奔台积电

台积电与南韩大厂三星在先进制程领域方面竞争激烈,根据外媒报导,目前三星3奈米GAA的良率只有约50%,如果三星无法将良率提高到70%,恐怕会痛失大客户高通的订单。

台积电与三星竞争激烈。(示意图/达志影像/shutterstock)

台积电与南韩大厂三星在先进制程领域方面竞争激烈,根据外媒报导,目前三星3奈米GAA的良率只有约50%,如果三星无法将良率提高到70%,恐怕会痛失大客户高通的订单。

先前有消息指出,三星的3奈米GAA制程已经为大陆的加密货币公司生产了首批芯片,但韩国媒体Chosun报导,这些芯片的真实形式并不完整,缺乏逻辑芯片中的SRAM。

报导提到,完整的3奈米GAA晶圆很难生产,因此据说三星的真实良率只有50%。即使三星的3奈米GAA制程产品性能优于 传统FinFET技术,但却有生产的问题。

一位熟悉三星计划的高层透露,三星目前良率才50%,未来除非达到70%良率,否则很难获得高通等客户,如果产量很低,即使是三星自己的LSI部门也可能不会接受订单。日前有半导体专家预估,台积电3奈米良率最高可达到80%,最低也有60%至70%。

报导指出,三星50%的良率,10片晶圆只有5片被认为可用,高通如果与其合作,等于被迫支付所有10片晶圆的费用,如此一来,高通只能提高骁龙产品的价格,将对其智能手机合作伙伴和消费者产生影响。在此情况下,高通Snapdragon 8 Gen 4很可能会采用台积电的3奈米制程进行量产。

责任编辑: 李冬琪   转载请注明作者、出处並保持完整。

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